經濟觀察網 記者 李靖恒3月2日晚間，斯達半導(603290.SH)發布了《2021年度非公開發行A股股票預案》公告，擬募集資金不超過35億元。
斯達半導表示，隨著世界各國對節能減排的需求越來越迫切，功率半導體器件已從傳統的 工業控制和4C(通信、計算機、消費電子、汽車)領域邁向新能源、新能源汽車、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多產業。功率半導體的發展使得變頻設備廣泛的應用于日常的消費，促進了清潔能源、電力終端消費、以及終端消費電子的產品發展。根據智研咨詢數據，2014 年全球功率半導體市場規模僅為227億美元，2019年增長至382億美元。
目前，中國是全球最大的功率半導體消費國，智研咨詢發布的《2020-2026年中國功率半導體行業市場運作模式及投資前景展望報告》指出，目前中國的功率半導體市場規模占全球市場規模35%左右，是全球最大的功率半導體市場，約為940.8億元。
“在新基建的產業環境下，5G、新能源汽車、數據中心、工業控制等諸多產業對功率半導體產生了巨大的需求，隨著功率半導體市場的持續發展與國產替代進程的加速，功率半導體具有廣闊的市場前景。”斯達半導稱。
此外，全球新能源汽車市場蓬勃發展也會帶動SiC芯片需求快速增長。根據EV-volumes.com的數據，2020年，全球新能源汽車(包括純電動和插電混動車型)總銷量為324 萬輛，同比增長43%。EV-volumes.com公司預計，2021年電動汽車的銷量將繼續增長，將達到460萬輛左右。
根據公告信息，本次籌集的資金將用于以下幾個項目：高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目（20億元）、功率半導體模塊生產線自動化改造項目（7億元）、補充流動資金（8億元）。其中，SiC芯片是指以SiC(碳化硅)材料為基底制作的半導體芯片；功率半導體器件是指以Si(硅)或者SiC(碳化硅)等半導體材料為基底制作的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體功率器件。
斯達半導稱，高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目預計將形成年產36萬片功率半導體芯片的生產能力；而功率半導體模塊生產線自動化改造項預計將形成新增年產400萬片的功率半導體模塊的生產能力。
數日前，信達證券電子行業分析師方競團隊在研究報告中表示，斯達半導是國內IGBT行業領軍企業。（IGBT：絕緣柵雙極型晶體管，一種半導體器件），2019該公司年在全球IGBT模塊市場排名第8，是唯一進入前10的中國企業，并且公司營收主要來自IGBT模塊銷售，近年來IGBT模塊營收占比均保持在98%以上。
方競進一步介紹到，斯達半導自2005年成立以來一直專注于IGBT及模塊的自主設計研發、生產和銷售。公司目前已成為少數實現IGBT大規模生產的國內企業之一，先發優勢明顯。同時，公司針對細分行業客戶對IGBT 模塊產品性能、拓撲結構等的不同要求，開發了不同系列的IGBT模塊產品，在變頻器、新能源汽車及逆變電焊機等細分市場領域形成了一定的競爭優勢。
此外，方競的研究報告還指出，斯達半導前瞻性地布局碳化硅模塊，強化了新能源汽車領域布局。碳化硅是第三代化合物半導體材料，與硅基器件相比，碳化硅模塊具有損耗更低、體積更小、耐溫更高等優勢。尤其在電動車領域，由于單個電池容量難進一步提升，為提高續航需盡可能增加電池個數。碳化硅器件的使用可降低功耗，減小電控等部件體積，從而使得電池安排游刃有余。同時，由于碳化硅開關頻率更高，在高壓充電樁中采用碳化硅器件也可使得充電。
方競認為：“雖然當前SiC成本仍較高，且技術層面仍有一定挑戰。但長期來看新能源汽車領域，碳化硅器件有望逐步替代硅基IGBT。”
