8 月 26 日消息半導體制造與先進晶圓級封裝領域設備供應商，盛美半導體設備今日發布了新產品 ——Ultra ECP GIII 電鍍設備，以支持化合物半導體 (SiC, GaN) 和砷化鎵 (GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金(Au)鍍到背面深孔工藝中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。Ultra ECP GIII 還配備了全自動平臺，支持 6 英寸平邊和 V 型槽晶圓的批量工藝，同時結合了盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術，可實現最佳性能。
盛美半導體設備表示:“隨著電動汽車、5G 通信、RF 和 AI 應用的強勁需求，化合物半導體市場正在蓬勃發展。一直以來，化合物半導體制造工藝的自動化水平有限，并且受到產量的限制。此外，大多數電鍍工藝均采用均勻性較差的垂直式電鍍設備進行。盛美新研發的 Ultra ECP GIII 水平式電鍍設備克服了這兩個困難，以滿足化合物半導體不斷提升的產量和先進性能需求。”
盛美的 Ultra ECP GIII 設備通過兩項技術來實現性能優勢：盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術。第二陽極技術可通過有效調整晶圓級電鍍性能，克服電場分布差異造成的問題，以實現卓越的均勻性控制。它可以應用于優化晶圓邊緣區域圖形和 V 型槽區域，并實現 3% 以內的電鍍均勻性。
盛美的高速柵板技術可達到更強的攪拌效果，以強化傳質，從而顯著改善深孔工藝中的臺階覆蓋率，同時提升的步驟覆蓋率可降低金薄膜厚度，從而為客戶節約成本。
盛美半導體的 Ultra ECP GIII 已取得來自中國化合物半導體制造商的兩個訂單。第一臺訂單設備采用第二陽極技術的銅-鎳-錫-鍍銀模塊，且集成真空預濕腔體和后道清洗腔體，應用于晶圓級封裝，已于上月交付。第二臺訂單設備適用于鍍金系統，將于今年下一季度交付客戶端。
