7 月 16 日消息，據 Sammobile 報道，三星副總裁 Younggwan Ko 最近在韓國水原舉行的一次研討會上表示，隨著存儲半導體變得更強大，封裝技術必須與存儲半導體一起發(fā)展。將 MSAP 工藝應用于其 DDR6 內存芯片將允許三星制造具有更精細電路的芯片。

另據The Elec 報告稱，三星的競爭對手已經將 MSAP 封裝技術用于 DDR5 內存，而三星正在努力將這種封裝技術用于 DDR6。

傳統的封裝方法只把要形成電路圖案的區(qū)域進行涂覆，而將其他區(qū)域蝕刻掉。 但在 MSAP 封裝中，除了電路之外的區(qū)域都經過涂層處理，而空白區(qū)域則進行了電鍍，從而可以實現更精細的電路。

IT之家了解到，三星于本周早些時候推出了其首款用于顯卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，報道稱，該公司處于 DDR6 開發(fā)的早期階段，根據去年的一份報告，其 DDR6 設計可能會在 2024 年完成。

預計 DDR6 的速度是 DDR5 的兩倍，內存通道數也是 DDR5 的兩倍。DDR6(JEDEC)可以實現大約12800Mbps的傳輸速率，或支持超頻到17000Mbps。

目前，三星最快的 DDR5 DIMM 具有高達 7200 Mbps 的傳輸速度，因此 DDR6 將提高 0.7 倍，超頻下將提高1.36 倍。

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