近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導體關鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領域取得突破。
中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內第三代半導體研究進展的重要因素是原始創新問題。隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來，我國半導體材料市場發展迅速。其中以碳化硅與氮化鎵為主的材料備受關注。我們認為，該項目取得的進展，顯示出我國在半導體前沿材料的研究方面取得了突破進展，有助于支撐我國在節能減排、現代信息工程、現代國防建設上的重大需求。
近年來，國家和各地方政府陸續推出政策和產業扶持基金發展第三代半導體相關產業：地方政策在2016年大量出臺，福建、廣東、江蘇、北京、青海等27個地區出臺第三代半導體相關政策(不包括LED)近30條。
考慮到當前國內的半導體產業投資基本上進入了國家主導的投資階段，2014年大基金的成立開啟了一輪國內投資半導體的熱潮，無論是政府資金，還是產業資本都紛紛進入這個領域。隨著碳化硅和氮化鎵材料研發取得進展，我們預期，第二期大基金的布局焦點應該會向上游的原材料和設備傾斜更多的資源，尤其是涉及第三代半導體材料氮化鎵和碳化硅這樣的上游材料公司有機會受到資金青睞。
國內企業方面，在LED芯片領域已有深厚積累的三安光電(600703.SH)，在第三代半導體材料的研發投入達到了330億元。我們認為三安光電憑借其在LED芯片整條產業鏈的整合優勢和技術設備優勢有望在第三代半導體產業高速發展的過程中會脫穎而出，建議重點關注。除三安光電外，揚杰科技(300373.SZ)、國民技術(300077.SZ)、海特高新(002023.SZ)等多家上市公司均開始布局第三代半導體業務。
