記者昨日從西安電子科技大學獲悉，國產化5G通信芯片用氮化鎵材料日前在西電蕪湖研究院試制成功，這標志著今后國內各大芯片企業生產5G通信芯片，有望用上國產材料。

據介紹，氮化鎵半導體材料具有寬帶隙、高擊穿場強、高熱導率、低介電常數、高電子飽和漂移速度、強抗輻射能力和良好化學穩定性等優越物理化學性質，成為繼第一代半導體硅、第二代半導體砷化鎵之后制備新一代微電子器件和電路的關鍵材料，特別適合于高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研制。西安電子科技大學蕪湖研究院依托于西電寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室，研發出全國產的基于碳化硅襯底的氮化鎵材料，目前在國際第三代半導體技術領域處于領先水平，將助力5G通信制造領域的國產化進程。西電蕪湖研究院技術總監陳興表示，研究院目前已經掌握了氮化鎵材料的生產和5G通信芯片的核心設計與制造能力，下一步他們將盡快將這項技術商用。

關鍵詞：