1 月 5 日消息，韓國晶圓代工廠商 DB HiTek 通過在硅晶圓片上制作由氮化鎵 (GaN) 材料制成的薄膜來生產半導體芯片，該技術能夠響應通信設備、電動汽車充電器和太陽能轉換器等快速增長的市場。
據韓媒 etnews 報道，GaN 是下一代半導體材料，可提高通信設備、電動汽車快速充電器和太陽能轉換器的電源效率。DB HiTek 將生產基于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 技術的 8 英寸半導體，該技術預計可以通過提高半導體制造的競爭力來簡化晶片加工以增強盈利能力。
據了解，DB HiTek 預計今年將利用其忠北工廠來應對 8 英寸市場，該公司計劃通過充分利用忠北的 Sangwoo fab 產能或進行額外投資來滿足對電動汽車和電動設備等 8 英寸半導體的需求。
