1 月 25 日，國星光電發布業績預告稱，公司預計 2021 年度實現歸屬于上市公司股東的凈利潤約為 19218.17 萬元 —21241.14 萬元，同比增長 90%—110%，上年同期盈利為 10114.83 萬元。
另外，國星光電預計 2021 年度實現歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤約為 13618.17 萬元 —16041.14 萬元，同比增長 136.74%—178.86%，上年同期盈利為 5752.48 萬元。
關于業績變動的原因，國星光電表示，報告期內，得益于國家疫情管控得當，LED 行業景氣度探底回暖，公司產品訂單量較去年同期取得明顯增長;另一方面公司強化內部管理，積極開展降本增效工作。圍繞生產經營目標與重點工作計劃，公司調整產品結構，增加高附加值產品，穩步推進擴產擴能計劃。
另外，報告期內國星光電非經常性損益金額區間約為 5,200 萬元-5,600 萬元，上年同期為 4,362.35 萬元。
資料顯示，國星光電是集研發、設計、生產和銷售中高端半導體發光二極管(LED)及其應用產品于一體的國家高新技術企業，主營業務為研發、生產與銷售 LED 器件及組件產品。其深耕電子及 LED 行業 50 余年，產品廣泛應用于消費類電子產品、家電產品、計算機、通訊、顯示及亮化 產品、通用照明、車燈、殺菌凈化、植物照明等領域。
對于第三代半導體的布局，國星光電表示，公司一直高度關注三代半領域的技術發展與技術研究，致力于打造高可靠性、高品質的功率器件封測業務。在上游芯片領域，公司有布局硅基氮化鎵的外延芯片;中游封裝領域，公司已建成第三代半導體功率器件實驗室及試產線;下游應用領域公司也在積極與相關企業洽談戰略性合作，并針對客戶的應用需求定制開發樣品等。
據了解，國星光電推出的 SiC 功率器件、功率模塊和 GaN-DFN 器件 3 大系列第三代半導體新產品，SiC 功率器件可廣泛應用于大功率電源、充電樁等工業領域;GaN-DFN 器件可廣泛應用于新能源汽車充電、手機快充等;功率模塊可廣泛應用于各種變頻器、逆變器的工業領域。
Micro LED 方面，國星光電發揮子公司國星半導體與本部上下游聯動優勢，巨量轉移工藝取得突破性進展，產品良率高，同時國星半導體已開發了面向于 P0.3 間距及面向 P0.1 間距的 Micro LED 芯片系列，并實現小批量供貨給國星光電研究院。
