2月23日 消息:高通已開始在其旗艦智能手機芯片驍龍8 Gen 1芯片中使用4nm工藝，現在該公司正準備將這一新工藝用于即將推出的可穿戴設備芯片。即將推出的高通驍龍Wear5100和驍龍Wear 5100+ 預計將使用4nm工藝節點制造，與當前一代芯片相比，這將帶來更好的性能。目前的驍龍Wear4100芯片是使用12nm工藝節點制造的，而驍龍Wear 3100是使用28nm節點制造的。

據報道，三星代工廠將制造這些新芯片，但它們也將被其他智能手機制造商使用。值得注意的是，驍龍8 Gen 1 芯片也由三星使用新的 4nm 工藝節點制造。

Wear 5100 和 5100+ 之間的區別就在于封裝。驍龍Wear 5100將分離 SoC 和電源管理集成電路 (PMIC)。

另一方面，驍龍Wear 5100+將采用所謂的模塑嵌入式封裝 (MEP)，所有東西都封裝在一起。據說它還擁有來自ARM的心率和跌倒檢測技術，并提供改進的觸覺。

據說這兩種版本都有四個運行頻率為 1.7GHz 的 Cortex-A53 內核以及運行頻率為 700MHz的 Adreno702 圖形處理器。它們將支持高達 4GB 的 LPDDR4X RAM 和 eMMC 5.1 存儲。

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