9 月 16 日消息，三星電子于去年開始將 DDR5 DRAM 商業化，這是在行業中首次應用 High-K Metal Gate (HKMG) 工藝開發的 DRAM 技術。

分析機構 Tech Insights 表示，三星電子已經向芝奇(G.Skill)提供了基于高 K 金屬柵極(HKMG)技術的 DDR5 DRAM 內存顆粒。

“我們已經確認三星電子的 HKMG DDR5 DRAM 應用于芝奇 Trident Z5 系列產品中”。該機構還預計 HKMG 將成為下一代 DRAM 行業的新標準。

TechInsights 一直在拆解市場上的各種 IT 產品，并分析設備中嵌入的芯片信息。通過這次拆解，TechInsights 揭示了三星電子 HKMG DDR5 DRAM 的量產產品，并放出了其內部電路照片。

IT之家了解到，三星電子于去年 3 月首次宣布 DDR5 DRAM 開發成功，在業界首次實現 HKMG 工藝大規模應用。據介紹，DDR5 數據處理速度是 DDR4 的兩倍，起步就能到 4800MHz，而且容量也會得到提升，但延遲相對上升。

HKMG 技術傳統上應用于邏輯半導體器件，與傳統材料技術相比，HKMG 可明顯改善漏電情況，三星方面曾表示該技術可減少內存功耗約 13%，對注重能源效率的數據中心等應用有重要意義，不過三星并未披露內存的實際商業化情況，只是表示，“我們計劃在下一代中根據客戶需求及時將內存商業化。

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