12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網宣布，成功開發出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內存模組樣品，這是目前業界最快的服務器 DRAM 產品。該產品的最低數據傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。

官方稱，該 MCR DIMM 產品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯片的速度。

SK 海力士技術團隊在設計產品時，以英特爾 MCR 技術為基礎，利用安裝在 MCR DIMM 上的數據緩沖器 (data buffer) 同時運行兩個內存列。

傳統 DRAM 模塊每次只能向 CPU 傳輸 64 個字節的數據，而在 MCR DIMM 模塊中，兩個內存列同時運行可向 CPU 傳輸 128 個字節的數據。每次傳輸到 CPU 的數據量的增加使得數據傳輸速度提高到 8Gbps 以上，是單個 DRAM 的兩倍。

該產品的成功開發得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開發到速度和性能驗證的各個階段都進行了緊密的合作。

SK 海力士 DRAM 產品策劃擔當副社長柳城洙認為這款產品的成功開發取決于不同技術的結合。柳城洙表示：“SK 海力士的 DRAM 模塊設計能力與英特爾卓越的 Xeon 處理器、瑞薩電子的緩沖器技術融為一體。為確保 MCR DIMM 的穩定運行，模塊內外數據緩沖器和處理器能夠順暢交互至關重要。”

數據緩沖器負責從中間的模塊傳輸多個信號，服務器 CPU 則負責接受和處理來自緩沖器的信號。

柳副社長還表示：“開發出業界速度最快的 MCR DIMM 充分彰顯了 SK 海力士 DDR5 技術的又一長足進步。我們將繼續尋求突破技術壁壘，鞏固在服務器 DRAM 市場的領導地位。”

英特爾內存和 IO 技術副總裁 DimitriosZiakas 博士表示，英特爾與 SK 海力士在內存創新、針對服務器的高性能、可擴展的 DDR5 領域處于領先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業合作伙伴。

“此次采用的技術源于英特爾和關鍵業界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾 Xeon 處理器可提供的帶寬。我們期待該技術能夠應用到未來的英特爾 Xeon 處理器上，支持業界的標準化和多世代開發。”

瑞薩電子副總裁兼 Memory Interface 部門長 Sameer Kuppahalli 表示，該數據緩沖器從構思到實現產品化歷經三年，“對于能夠攜手 SK 海力士和英特爾將該技術轉化為優秀的產品，我們深感自豪。”

IT之家了解到，SK 海力士預計，在高性能計算對于內存帶寬提升需求的驅動下，MCR DIMM 的市場將會逐步打開，公司計劃在未來量產該產品。

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