12 月 25 日消息，英特爾是堅定的摩爾定律擁護者，盡管每代制程的技術指標都十分給力，但在進度上確實確實已經落后于臺積電和三星電子。

目前英特爾 12 代、13 代處理器依然在使用 Intel 7 工藝(原 10nm Superfin)，而明年的 Meteor Lake 將采用新一代的Intel 4 工藝(原 7nm)。

Intel 4 將會是 Intel 首個基于 EUV 極紫外光技術的 FinFET 工藝，每瓦性能可提升 20%，而 Meteor Lake 計劃于今年第四季度流片，2023 年出貨。

Intel 4 之后是 Intel 3，是最后一代基于 FinFET 的技術，每瓦性能可提升 18%，此前計劃 2023 年下半年開始生產。

再往后是 Intel 20A 工藝，屆時英特爾也將會放棄 FinFET 技術，轉向 GAA 路線，20A 將采用兩大突破性技術 ——PowerVia、RibbonFET，前者是 Intel 獨創的供電技術，后者是基于 GAA 技術實現的新突破，預計 2024 年問世。

2025 年及之后的技術還在開發中，命名為 Intel 18A，會繼續改進 RibbonFET 技術，同時會用上 ASML 下一代的高 NA EUV 光刻機，但量產時間不定。

英特爾現宣布，其歐洲首臺大容量 EUV 光刻機已經在愛爾蘭 Fab 34 工廠開機并成功產生了 13.5nm 波長的光源。

今年早些時候，愛爾蘭 Fab 34 工廠引入了一臺 EUV 光刻機，這是 Intel4 技術的關鍵推動力。

英特爾表示，該系統由荷蘭 ASML 制造，可以說是人類有史以來所建造出最復雜的機器。自新 EUV 光刻機交付以來，當地團隊一直在進行安裝和調試，并在本周迎來了一個重要時刻，Intel 正式啟動了 EUV 光刻機，25KW 的激光器在一系列復雜的操作之后成功激發了 13.5nm 波長的 EUV 光源。

這是 Intel4 技術量產道路上的一個重要里程碑，也是歐洲首次使用大容量 EUV 光刻機。

據介紹，這套 EUV 系統由 10 萬多個零件、3000 根電纜、4 萬個螺栓和超過一英里的軟管組成。在它到達萊克斯利普之后，當地團隊一直在想辦法產出第一束光，但這一過程非常復雜，因為它依賴于多種因素的錯綜復雜的技術，無論是光刻機本身還是整體設施系統的鑒定以及與公用事業的連接，都需要團隊共同努力才能實現，甚至之前僅是建造廠商及準備設施就用了 18 個月。

在這個過程中，有著超過 100 名 ASML 員工與承包商、英特爾工程師和技術人員團隊一起合作搭建和調配，有望在接下來的一段時間里為 Intel 4 技術做好量產準備。

關于Meteor Lake 的一系列內容，可參見IT之家此前報道。

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