1 月 9 日消息，據韓媒 The Elec 消息，三星將加速 3D NAND 堆疊進程，正在討論將預計 2025-2026 年量產的第十代 V-NAND 的堆疊層數跳至 430 層級。

三星此前宣布到 2030 年開發出 1000 層 V-NAND 閃存，同時，下一代 V-NAND 路線圖的輪廓也逐漸浮出水面。

據報道，三星計劃 2024 年量產的第九代 V-NAND 將在 280 層 3D NAND范圍內。對于定于 2025-2026 年量產的第十代 V-NAND，三星正在討論跳過 300 層直接進入 430 層。

據分析，具體工作正在按照到 2030 年發展 1000 層 V-NAND 的目標逐步推進。也有觀察認為，三星會長李在镕強調的“超級差距戰略”的執行速度正在加快。

此外，業內人士透露，三星已經為第九代、第十代等 V-NAND 單元的數量制定了大致的路線圖，正在從多個角度開發產品。

IT之家了解到，V-NAND 是三星于 2013 年首發的閃存技術，通過在垂直堆疊的平面層的三維空間中鉆孔來連接每一層。

2013 年出現的第一代 V-NAND 是 24 層。此后又推出了第二代 32 層、第三代 48 層、第四代64 層、第五代 92 層、第六代 128 層、第七代 176 層。每一代都經歷了大約 1 年到 1 年零 6 個月的量產。

三星于 2022 年 11 月宣布量產了第八代 V-NAND，其堆疊層數為 236 層。據介紹，第八代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。

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