4 月 25 日消息，據日經新聞報道，該國東北大學吉川彰教授與初創企業合作，研發新一代半導體材料-氧化鎵的新制造技術，成本約為傳統方法的百分之一。

傳統方法是加熱使用貴金屬銥制造的容器，熔化其中的材料，制造結晶。要制造直徑約 15 厘米的實用性結晶，僅容器就需要 3000 萬～5000 萬日元(約 253 萬元人民幣)，還存在結晶的質量不夠穩定等課題。據稱由于不需要昂貴的容器等原因，利用新方法能以目前約 100 分之 1 的成本制造氧化鎵結晶。

該團隊表示將力爭在 2 年內制造出直徑 6 英寸以上的結晶，推動產業化。

IT之家了解到，氧化鎵作為功率半導體新一代材料受到期待，據稱氧化鎵的電力損耗在理論上僅為硅的約 1/3400、碳化硅的約 1/10。如果純電動汽車(EV)的馬達驅動用電源采用氧化鎵制的功率半導體，就算電池容量相同，也能行駛更遠距離。C&A 和東北大學的團隊將利用新方法降低此前成為瓶頸的生産成本，推動實用化。

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