5 月 20 日消息IEEE 里程碑牌匾是對單片集成大功率器件、精確模擬功能和復雜數字控制邏輯的開創性研究成果的認可(芯片銷量達 400 億)。
近日意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱 ST;紐約證券交易所代碼：STM) 宣布，電氣與電子工程師協會 (IEEE)授予意法半導體 IEEE 里程碑獎，表彰公司在超級集成硅柵半導體工藝技術方面的開創性研究成果。意法半導體的 BCD 技術可以制造單片集成雙極工藝高精度模擬晶體管、CMOS 工藝高性能數字開關晶體管和高功率 DMOS 晶體管，適合復雜的、有大功率需求的應用。多年來，BCD 工藝技術已賦能硬盤驅動器、打印機和汽車系統等終端應用取得了顛覆性發展。
在意法半導體 Agrate 工廠舉行的現場 / 線上揭牌儀式上，IEEE 意大利分部人道主義活動委員會協調員兼前任秘書 Giambattista Gruosso 和意法半導體總裁兼首席執行官 Jean-Marc Chery 共同揭開了 IEEE 里程碑牌匾。該牌匾將放置在意法半導體在意大利米蘭市近郊的兩個曾經承擔多硅柵多功率 BCD 開發工作的意大利布里安札的 Agrate 工廠和意大利米蘭 Castelletto 工廠的大門口。牌匾上寫著：
IEEE 里程碑
單片多硅技術，1985 年
SGS(現為意法半導體)率先采用單片集成雙極型晶體管、CMOS 晶體管和 DMOS 晶體管 (BCD) 的超級集成硅柵極工藝，解決復雜的、有大功率需求的應用設計難題。首個 BCD 超級集成電路 L6202 可以控制最高 60V-5A 的功率，開關頻率 300kHz。隨后的汽車、計算機和工業自動化廣泛采用了這項工藝技術，讓芯片設計人員能夠靈活、可靠地單片集成功率、模擬和數字信號處理電路。
IEEE 于 1983 年建立了里程碑計劃，以表彰在獨特產品、服務、有影響力的論文和專利中造福人類的技術創新和卓越成就。每一個里程碑獎都代表了一項至少是 25 年前在 IEEE 代表的技術領域產生的至少具有地區影響力的重要技術成就。目前，IEEE 在全球范圍內批準并頒發了大約 220 塊 IEEE 里程碑牌匾。
在上個世紀八十年代初期，意法半導體工程師開始尋找可靠的方法解決各種電子應用問題，并第首先在一顆單芯片上集成異質晶體管和異質二極管。工程師著眼于多個細分市場的客戶需求，著力于在數字邏輯的控制下提供數百瓦的電力，而且控制邏輯技術遵循摩爾定律。目標器件還將支持精確的模擬功能，并最大程度地降低功耗，無需使用散熱器。
這些研發活動最終產生了一種新的集成硅柵技術。這種被稱為 BCD (雙極、CMOS、DMOS) 的技術利用復雜的互連方法在單個芯片上集成二極管、雙極線性晶體管、復雜 CMOS 邏輯和多個 DMOS 功率晶體管。BCD 首個芯片是 L6202 電動機全橋驅動器，工作電壓 60V，電流 1.5A，開關頻率 300kHz，達到所有設計目標。這個新的可靠工藝技術讓芯片設計人員能夠在單個芯片上靈活地集成功率、模擬和數字信號處理電路。
從推出 BCD 工藝至今，意法半導體已經售出 400 多億顆硅柵多功率 BCD 器件 / 芯片，第十代 BCD 技術即將開始投產。在歐洲和亞洲，意法半導體前后工序制造工廠的這項 BCD 技術廣泛用于汽車子系統、智能手機、家用電器、音頻放大器、硬盤、電源、打印機、微型投影儀、照明、醫療設備、電動機、調制解調器、顯示器等。
意法半導體總裁、首席執行官 Jean-Marc Chery 表示：“在 80 年代初，智能電源還是一個獨樹一幟的概念，我們的一個有遠見和眼光的天才技術團隊認識到智能電源的價值，創造了一項非凡成就，將雙極晶體管的高精度功能與 CMOS 數字控制和 DMOS 的高功率整合成一顆芯片。到現在，已經過去 35 年并經歷了 9 次技術迭代，我們產出 500 萬片晶圓，售出 400 億顆芯片 – 僅去年一年就售出近 30 億顆芯片。能夠得到這一 IEEE 里程碑匾額意味著 ST 的 BCD 技術將被寫進推進人類發展的科技史冊，對此，我們的自豪無以言表。”
