在過去一段時(shí)間里，格芯已經(jīng)放棄了對(duì)于10nm一下制程的研發(fā)投入，同時(shí)還大力精簡(jiǎn)投資，出售旗下部分晶圓廠。不過，對(duì)于其現(xiàn)有的成熟工藝，格芯依舊保持了極高的優(yōu)化熱情。

最近，格芯正式對(duì)外宣布，旗下最先進(jìn)的FinFET 12LP+工藝完成研發(fā)，并已準(zhǔn)備正式投產(chǎn)。按照官方說法，12LP+的性能較前代(12LP)增加了20%、面積則減少了10%。這些參數(shù)的進(jìn)步，主要得益于改進(jìn)的模擬布局設(shè)計(jì)法則、新的低壓SRAM、獨(dú)立 鰭片單元和性能驅(qū)動(dòng)的區(qū)塊優(yōu)化組件。

目前，12LP+已在當(dāng)下火熱的AI訓(xùn)練芯片領(lǐng)域通過了IP驗(yàn)證，可以在很大程度上壓縮成本，產(chǎn)生更大價(jià)值。另外，格芯也在豐富12nmLP+的IP組合包，目標(biāo)包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e顯存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。

據(jù)了解，格芯的12nmLP+將主要放在美國(guó)本土紐約州Malta的Fab8工廠生產(chǎn)，今年下半年內(nèi)會(huì)有多套方案流片。

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