據(jù)外媒報(bào)道，由一個(gè)晶體組成的碘化亞銅的無(wú)缺陷薄膜已經(jīng)由RIKEN的物理學(xué)家制造出來(lái)。 原子平面樣品是生產(chǎn)出更好半導(dǎo)體的推動(dòng)力。半導(dǎo)體是許多光電設(shè)備的核心，包括激光器和發(fā)光二極管(LED)。工程師們希望將碘化亞銅用于半導(dǎo)體，因?yàn)樗且环N極好的導(dǎo)體，在室溫以上仍能保持穩(wěn)定。
問(wèn)題是很難制造出一層真正沒(méi)有雜質(zhì)的碘化亞銅薄膜。通常的方法是從溶液中沉淀膠片。“但這個(gè)解決方法不能用碘化亞銅制造出高質(zhì)量的薄膜，”RIKEN新興物質(zhì)科學(xué)中心的Masao Nakamura指出。
相反，Nakamaru和他的同事們使用了一種被稱為分子束外延的替代技術(shù)，在這種技術(shù)下，薄膜在高溫和真空條件下在基片上逐漸生長(zhǎng)。分子束外延技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)中。但碘化亞銅很難被使用，因?yàn)檫@種材料極易揮發(fā)--這意味著它在處理過(guò)程中很容易蒸發(fā)而不會(huì)沉淀成薄膜。為了克服這個(gè)困難，研究小組開(kāi)始在較低的溫度下培養(yǎng)薄膜然后再提高溫度。“我們新開(kāi)發(fā)的這兩步流程非常有效，”Nakamura說(shuō)道。
攝制組還有另一種提高影片質(zhì)量的方法。他們選擇砷化銦作為襯底，因?yàn)樗木Ц耖g距跟碘化亞銅非常相似。“如果晶格間距不能很好地匹配，材料中就會(huì)形成許多缺陷，”Nakamura指出。
隨后，中村和他的同事們用一種名為光致發(fā)光光譜的技術(shù)測(cè)試了樣品的純度，這種技術(shù)涉及在材料表面發(fā)射光子或光粒子。這些光子被材料吸收，激發(fā)其電子到更高的能量狀態(tài)并引發(fā)它們發(fā)射新的光子。監(jiān)測(cè)發(fā)射的光使研究小組得以確定他們已經(jīng)創(chuàng)造了一個(gè)沒(méi)有缺陷的單晶薄膜。Nakamura說(shuō)道：“我們希望使用我們的方法提高質(zhì)量。不過(guò)結(jié)果超出我們的預(yù)期。”
Nakamaru和他的團(tuán)隊(duì)現(xiàn)在計(jì)劃將不同鹵化物制成的半導(dǎo)體夾在一起并研究產(chǎn)生的新特性。他說(shuō)道：“我們將探索鹵素界面的新功能和物理特性。”
